Número do Produto do Fabricante:
IPI60R299CPXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI60R299CPXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 11A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
12805882
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IPI60R299CPXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 440µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPI60R299CPXKSA1-IT
IFEINFIPI60R299CPXKSA1
IPI60R299CP-DG
IPI60R299CPXK
IPI60R299CPX
IPI60R299CP
SP000103249
IPI60R299CPAKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STI24N60M2
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1180
NÚMERO DA PEÇA
STI24N60M2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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