Número do Produto do Fabricante:
IPI076N12N3GAKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPI076N12N3GAKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 120V 100A TO262-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 120 V 100A (Tc) 188W (Tc) Through Hole PG-TO262-3
Inventário:
498 Pcs Novo Original Em Estoque
12803434
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IPI076N12N3GAKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
120 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
7.6mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
101 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
6640 pF @ 60 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO262-3
Pacote / Estojo
TO-262-3 Long Leads, I2PAK, TO-262AA
Número do produto base
IPI076
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPI076N12N3 G-DG
2156-IPI076N12N3GAKSA1-448
SP000652738
IPI076N12N3 G
IPI076N12N3G
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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