Número do Produto do Fabricante:
IPG20N10S4L35ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPG20N10S4L35ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 100V 20A 8TDSON
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 100V 20A 43W Surface Mount PG-TDSON-8-4
Inventário:
39553 Pcs Novo Original Em Estoque
12803706
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ENVIAR
IPG20N10S4L35ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
35mOhm @ 17A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.1V @ 16µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17.4nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1105pF @ 25V
Potência - Máx.
43W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-4
Número do produto base
IPG20N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000859022
IPG20N10S4L35ATMA1DKR
IPG20N10S4L35ATMA1TR
2156-IPG20N10S4L35ATMA1TR
IPG20N10S4L35ATMA1-DG
IPG20N10S4L35ATMA1CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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