Número do Produto do Fabricante:
IPG20N06S2L65AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
Descrição:
MOSFET 2N-CH 55V 20A 8TDSON
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 55V 20A 43W Surface Mount, Wettable Flank PG-TDSON-8-10
Inventário:
13998 Pcs Novo Original Em Estoque
12800924
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ENVIAR
IPG20N06S2L65AATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Configuração
2 N-Channel (Dual)
Recurso FET
Logic Level Gate
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
20A
Rds On (Max) @ Id, Vgs
65mOhm @ 15A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 14µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12nC @ 10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
410pF @ 25V
Potência - Máx.
43W
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount, Wettable Flank
Pacote / Estojo
8-PowerVDFN
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-10
Número do produto base
IPG20N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPG20N06S2L65AATMA1DKR
SP001023844
IFEINFIPG20N06S2L65AATMA1
IPG20N06S2L65AATMA1CT
IPG20N06S2L65AATMA1-DG
IPG20N06S2L65AATMA1TR
2156-IPG20N06S2L65AATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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