IPF014N08NF2SATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPF014N08NF2SATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPF014N08NF2SATMA1-DG

Descrição:

TRENCH 40<-<100V PG-TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 282A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-14

Inventário:

1166 Pcs Novo Original Em Estoque
12997374
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IPF014N08NF2SATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
StrongIRFET™ 2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
282A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 267µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
255 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
12000 pF @ 40 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-14
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
IPF014N

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPF014N08NF2SATMA1TR
448-IPF014N08NF2SATMA1DKR
448-IPF014N08NF2SATMA1CT
SP005578878
Pacote padrão
800

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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