Número do Produto do Fabricante:
IPD80R3K3P7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD80R3K3P7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 800V 1.9A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 1.9A (Tc) 18W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
5000 Pcs Novo Original Em Estoque
12803311
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD80R3K3P7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.3Ohm @ 590mA, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 30µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
120 pF @ 500 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
18W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD80R3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
IFEINFIPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1DKR
2156-IPD80R3K3P7ATMA1
IPD80R3K3P7ATMA1TR
IPD80R3K3P7ATMA1CT
SP001636440
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRFB4710PBF
MOSFET N-CH 100V 75A TO220AB
IRF7424PBF
MOSFET P-CH 30V 11A 8SO
IPC60R520E6X1SA1
MOSFET N-CH BARE DIE