Número do Produto do Fabricante:
IPD80R2K7C3AATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 800 V 2A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount TO-252AA (DPAK)
Inventário:
4180 Pcs Novo Original Em Estoque
12803727
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IPD80R2K7C3AATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
800 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.7Ohm @ 1.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.9V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
1.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
290 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
TO-252AA (DPAK)
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD80R2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
INFINFIPD80R2K7C3AATMA1
2156-IPD80R2K7C3AATMA1
SP001065818
448-IPD80R2K7C3AATMA1TR
IPD80R2K7C3AATMA1-DG
448-IPD80R2K7C3AATMA1DKR
448-IPD80R2K7C3AATMA1CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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