Número do Produto do Fabricante:
IPD70R600P7SAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD70R600P7SAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 8.5A (Tc) 43W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12894 Pcs Novo Original Em Estoque
12810205
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD70R600P7SAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
8.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 1.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 90µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
10.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
364 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
43W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD70
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD70R600P7SAUMA1CT
IPD70R600P7SAUMA1TR
SP001491636
IPD70R600P7SAUMA1DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IRF100P219XKMA1
MOSFET N-CH 100V TO247AC
TN0106N3-G-P013
MOSFET N-CH 60V 350MA TO92-3
VP0550N3-G
MOSFET P-CH 500V 54MA TO92-3
