Número do Produto do Fabricante:
IPD65R660CFDATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD65R660CFDATMA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 700V 6A TO252-3-313
Descrição Detalhada:
N-Channel 700 V 6A (Tc) 63W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventário:
1827 Pcs Novo Original Em Estoque
13276481
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD65R660CFDATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CFD2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
700 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
660mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
22 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
615 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
63W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-313
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD65R660
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPD65R660CFDATMA2CT
448-IPD65R660CFDATMA2DKR
SP001977050
448-IPD65R660CFDATMA2TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPLK70R1K4P7ATMA1
MOSFET N-CH 700V TDSON-8
IPLK80R2K0P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
IPLK80R1K4P7ATMA1
MOSFET 800V TDSON-8
