Número do Produto do Fabricante:
IPD65R650CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD65R650CEATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 10.1A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 10.1A (Tc) 86W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12805721
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IPD65R650CEATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 210µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
23 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
86W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001295798
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK7P65W,RQ
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1403
NÚMERO DA PEÇA
TK7P65W,RQ-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.61
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTY4N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
70
NÚMERO DA PEÇA
IXTY4N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.07
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IPD65R650CEAUMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
2270
NÚMERO DA PEÇA
IPD65R650CEAUMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.33
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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