Número do Produto do Fabricante:
IPD60R460CEATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD60R460CEATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9.1A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.1A (Tc) 74W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
12803394
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IPD60R460CEATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.1A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
460mOhm @ 3.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 280µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
28 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
620 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
74W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1CT
2156-IPD60R460CEATMA1-ITTR-DG
IFEINFIPD60R460CEATMA1
IPD60R460CEATMA1TR
SP001276024
IPD60R460CEATMA1DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FCD7N60TM
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5978
NÚMERO DA PEÇA
FCD7N60TM-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.91
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTY8N65X2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
20
NÚMERO DA PEÇA
IXTY8N65X2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.22
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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