Número do Produto do Fabricante:
IPD60R180P7SAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD60R180P7SAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 18A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 18A (Tc) 72W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
37401 Pcs Novo Original Em Estoque
12800312
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IPD60R180P7SAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ P7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
180mOhm @ 5.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 280µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
25 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1081 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
72W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD60R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001658138
IPD60R180P7SAUMA1DKR
IPD60R180P7SAUMA1CT
IPD60R180P7SAUMA1-DG
IPD60R180P7SAUMA1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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