Número do Produto do Fabricante:
IPD50R800CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD50R800CEAUMA1-DG
Descrição:
CONSUMER
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 7.6A (Tc) 60W (Tc) Surface Mount PG-TO252-2
Inventário:
5199 Pcs Novo Original Em Estoque
12801224
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD50R800CEAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.6A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
800mOhm @ 1.5A, 13V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12.4 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
280 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
60W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-2
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD50R800
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001396798
IPD50R800CEAUMA1-DG
448-IPD50R800CEAUMA1CT
448-IPD50R800CEAUMA1DKR
2156-IPD50R800CEAUMA1
448-IPD50R800CEAUMA1TR
INFINFIPD50R800CEAUMA1
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD082N10N3GBTMA1
MOSFET N-CH 100V 80A TO252-3
IPN70R750P7SATMA1
MOSFET N-CH 700V 6.5A SOT223
IPP052NE7N3GHKSA1
MOSFET N-CH 75V 80A TO220-3
