Número do Produto do Fabricante:
IPD50R3K0CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD50R3K0CEAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 1.7A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 1.7A (Tc) 26W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
15854 Pcs Novo Original Em Estoque
12851315
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ENVIAR
IPD50R3K0CEAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
1.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3Ohm @ 400mA, 13V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 30µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
4.3 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
84 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
26W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD50R3
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPD50R3K0CEAUMA1
IPD50R3K0CEAUMA1CT
INFINFIPD50R3K0CEAUMA1
SP001396826
IPD50R3K0CEAUMA1TR
IPD50R3K0CEAUMA1DKR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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