Número do Produto do Fabricante:
IPD50R2K0CEAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 500V 2.4A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 500 V 2.4A (Tc) 33W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
3163 Pcs Novo Original Em Estoque
12800180
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD50R2K0CEAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™ CE
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
500 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.4A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
13V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2Ohm @ 600mA, 13V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 50µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
6 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
124 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD50R2
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD50R2K0CEAUMA1-DG
SP001396820
448-IPD50R2K0CEAUMA1TR
448-IPD50R2K0CEAUMA1DKR
2156-IPD50R2K0CEAUMA1
448-IPD50R2K0CEAUMA1CT
INFINFIPD50R2K0CEAUMA1
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
3 (168 Hours)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPD096N08N3GBTMA1
MOSFET N-CH 80V 73A TO252-3
IPB50N12S3L15ATMA1
MOSFET N-CHANNEL_100+
IPB120N06N G
MOSFET N-CH 60V 75A D2PAK
