Número do Produto do Fabricante:
IPD50N04S410ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD50N04S410ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 50A TO252-3-313
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 41W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313
Inventário:
4918 Pcs Novo Original Em Estoque
12800930
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ENVIAR
IPD50N04S410ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 15µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18.2 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1430 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
41W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-313
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD50
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPD50N04S4-10
IPD50N04S410ATMA1DKR
SP000711466
IPD50N04S4-10-DG
IPD50N04S410ATMA1CT
IPD50N04S410ATMA1TR
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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