Número do Produto do Fabricante:
IPD19DP10NMATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD19DP10NMATMA1-DG
Descrição:
TRENCH >=100V PG-TO252-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 100 V 2.6A (Ta), 13.7A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
1907 Pcs Novo Original Em Estoque
12968216
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPD19DP10NMATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
2.6A (Ta), 13.7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
186mOhm @ 12A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 1.04mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD19D
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP005343854
448-IPD19DP10NMATMA1TR
448-IPD19DP10NMATMA1DKR
448-IPD19DP10NMATMA1CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
ISP98DP10LMXTSA1
SMALL SIGNAL MOSFETS PG-SOT223-4
IPT013N08NM5LF
SINGLE N-CHANNEL LINEAR FET 80V
IPD18DP10LMATMA1
TRENCH >=100V PG-TO252-3
