IPD06P005LSAUMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPD06P005LSAUMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPD06P005LSAUMA1-DG

Descrição:

MOSFET P-CH 60V 6.5A TO252-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 60 V 6.5A (Tc) 28W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3-313

Inventário:

12803921
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IPD06P005LSAUMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
6.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
250mOhm @ 6.5A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 270µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13.8 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
420 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3-313
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD06P

Informação Adicional

Outros nomes
SP001863510
Pacote padrão
2,500

Classificação Ambiental e de Exportação

Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

IRF2804S-7PPBF

MOSFET N-CH 40V 160A D2PAK

infineon-technologies

IRFH5106TRPBF

MOSFET N-CH 60V 21A/100A 8PQFN

infineon-technologies

IRFP3077PBF

MOSFET N-CH 75V 120A TO247AC

infineon-technologies

IPW60R017C7XKSA1

HIGH POWER_NEW