Número do Produto do Fabricante:
IPD053N06NATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPD053N06NATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 18A/45A TO252-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 18A (Ta), 45A (Tc) 3W (Ta), 83W (Tc) Surface Mount PG-TO252-3
Inventário:
6883 Pcs Novo Original Em Estoque
12799917
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IPD053N06NATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Ta), 45A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.3mOhm @ 45A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.8V @ 36µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
27 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
3W (Ta), 83W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO252-3
Pacote / Estojo
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Número do produto base
IPD053
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
IPD053N06NTR-DG
IPD053N06NTR
IPD053N06NXTMA1
IPD053N06NDKR-DG
IPD053N06NCT-DG
IPD053N06N-DG
SP000962138
IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1DKR
IPD053N06NCT
IPD053N06NDKR
IPD053N06N
2156-IPD053N06NATMA1TR
IPD053N06NATMA1CT
Pacote padrão
2,500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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