Número do Produto do Fabricante:
IPC50N04S55R8ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPC50N04S55R8ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 50A 8TDSON-33
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 50A (Tc) 42W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-33
Inventário:
4727 Pcs Novo Original Em Estoque
12800815
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ENVIAR
IPC50N04S55R8ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
50A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
7V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.8mOhm @ 25A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.4V @ 13µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
18 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1090 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
42W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TDSON-8-33
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
IPC50N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPC50N04S55R8ATMA1CT
2156-IPC50N04S55R8ATMA1
IPC50N04S55R8ATMA1TR
IPC50N04S55R8ATMA1DKR
SP001418130
INFINFIPC50N04S55R8ATMA1
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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