IPB95R130PFD7ATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPB95R130PFD7ATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPB95R130PFD7ATMA1-DG

Descrição:

HIGH POWER_NEW
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 36.5A (Tc) 227W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventário:

2000 Pcs Novo Original Em Estoque
12991594
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IPB95R130PFD7ATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
36.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
130mOhm @ 25.1A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 1.25mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
141 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4170 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
227W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPB95R130PFD7ATMA1CT
448-IPB95R130PFD7ATMA1TR
448-IPB95R130PFD7ATMA1DKR
SP005547005
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
infineon-technologies

ISZ75DP15LMATMA1

TRENCH >=100V

infineon-technologies

IAUTN12S5N017ATMA1

MOSFET_(120V 300V)

infineon-technologies

ISZ810P06LMATMA1

TRENCH 40<-<100V