Número do Produto do Fabricante:
IPB80P03P4L07ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB80P03P4L07ATMA2-DG
Descrição:
MOSFET_(20V 40V) PG-TO263-3
Descrição Detalhada:
P-Channel 30 V 80A (Tc) 88W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
1712 Pcs Novo Original Em Estoque
12996923
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IPB80P03P4L07ATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
P-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6.9mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 130µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
80 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
+5V, -16V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
5700 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
88W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB80P
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPB80P03P4L07ATMA2TR
SP002325734
448-IPB80P03P4L07ATMA2CT
448-IPB80P03P4L07ATMA2DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IPB055N08NF2SATMA1
TRENCH 40<-<100V PG-TO263-3
