Número do Produto do Fabricante:
IPB80N06S2H5ATMA2
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 55V 80A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 55 V 80A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2
Inventário:
967 Pcs Novo Original Em Estoque
12801351
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IPB80N06S2H5ATMA2 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
55 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
80A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.2mOhm @ 80A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 230µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
155 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
4400 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
300W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB80N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB80N06S2H5ATMA2-DG
IFEINFIPB80N06S2H5ATMA2
IPB80N06S2H5ATMA2TR
IPB80N06S2H5ATMA2DKR
IPB80N06S2H5ATMA2CT
SP000376884
2156-IPB80N06S2H5ATMA2
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB160N75F3
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
970
NÚMERO DA PEÇA
STB160N75F3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.27
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
IXTA140N055T2
FABRICANTE
IXYS
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IXTA140N055T2-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.85
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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