IPB65R110CFDAATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPB65R110CFDAATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPB65R110CFDAATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 650V 31.2A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 31.2A (Tc) 277.8W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventário:

1000 Pcs Novo Original Em Estoque
12805519
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IPB65R110CFDAATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
31.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
110mOhm @ 12.7A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 1.3mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
118 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3240 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
277.8W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB65R110

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
IPB65R110CFDAATMA1DKR
IPB65R110CFDAATMA1TR
SP000896402
IPB65R110CFDAATMA1CT
IPB65R110CFDAATMA1-DG
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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