Número do Produto do Fabricante:
IPB65R065C7ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB65R065C7ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 7.3A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 7.3A (Tc) 171W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
12801448
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IPB65R065C7ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™ P6
Status do produto
Discontinued at Digi-Key
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.3A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
600mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
12 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
557 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
171W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB65R
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001080110
2156-IPB65R065C7ATMA1TR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
STB37N60DM2AG
FABRICANTE
STMicroelectronics
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
STB37N60DM2AG-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.16
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
NÚMERO DA PEÇA
IPB65R065C7ATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
5227
NÚMERO DA PEÇA
IPB65R065C7ATMA2-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.94
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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