IPB60R299CPAATMA1
Número do Produto do Fabricante:

IPB60R299CPAATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPB60R299CPAATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 11A TO263-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 96W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3-2

Inventário:

3987 Pcs Novo Original Em Estoque
12803487
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IPB60R299CPAATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
299mOhm @ 6.6A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 440µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
29 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1100 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
96W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3-2
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB60R299

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
INFINFIPB60R299CPAATMA1
IPB60R299CPAATMA1-DG
SP000539970
2156-IPB60R299CPAATMA1
448-IPB60R299CPAATMA1TR
448-IPB60R299CPAATMA1DKR
448-IPB60R299CPAATMA1CT
Pacote padrão
1,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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