Número do Produto do Fabricante:
IPB160N08S403ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB160N08S403ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 80V 160A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 80 V 160A (Tc) 208W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventário:
12848418
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IPB160N08S403ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
80 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
160A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7750 pF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
208W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grau
Automotive
Qualificação
AEC-Q101
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-3
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB160N
Folha de Dados & Documentos
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP000989092
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB019N08N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
8632
NÚMERO DA PEÇA
IPB019N08N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.06
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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