Número do Produto do Fabricante:
IPB123N10N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB123N10N3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 58A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 58A (Tc) 94W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
7030 Pcs Novo Original Em Estoque
12800248
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ENVIAR
IPB123N10N3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
58A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
12.3mOhm @ 46A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 46µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2500 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
94W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB123
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPB123N10N3GATMA1
IPB123N10N3GATMA1TR
SP000485968
IPB123N10N3 GTR-DG
IPB123N10N3G
IPB123N10N3 G
IPB123N10N3 GTR
IPB123N10N3GATMA1DKR
IPB123N10N3 GCT-DG
IPB123N10N3 G-DG
IPB123N10N3 GDKR-DG
IPB123N10N3GATMA1CT
IPB123N10N3 GDKR
IPB123N10N3 GCT
IFEINFIPB123N10N3GATMA1
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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