Número do Produto do Fabricante:
IPB042N10N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB042N10N3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 100V 100A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 214W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
40835 Pcs Novo Original Em Estoque
12799592
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IPB042N10N3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.2mOhm @ 50A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 150µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
117 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
8410 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
214W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB042
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB042N10N3GATMA1TR
IPB042N10N3 G-DG
IPB042N10N3GATMA1CT
IPB042N10N3G
IPB042N10N3 GCT-DG
IPB042N10N3 GTR-DG
IPB042N10N3 GDKR
IPB042N10N3GATMA1DKR
IPB042N10N3 GDKR-DG
IPB042N10N3 GCT
SP000446880
IPB042N10N3 G
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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