Número do Produto do Fabricante:
IPB034N06N3GATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB034N06N3GATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventário:
12800491
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IPB034N06N3GATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
100A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 93µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
11000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB034N
Informação Adicional
Outros nomes
IPB034N06N3 GDKR-DG
IPB034N06N3 GTR
IPB034N06N3 GDKR
SP000397990
IPB034N06N3 G
IPB034N06N3GATMA1TR
IPB034N06N3GATMA1DKR
IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA1CT
IPB034N06N3 GTR-DG
IPB034N06N3 GCT-DG
IPB034N06N3 G-DG
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IPB034N06N3GATMA2
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IPB034N06N3GATMA2-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Parametric Equivalent
NÚMERO DA PEÇA
IPB017N06N3GATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
9000
NÚMERO DA PEÇA
IPB017N06N3GATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.54
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
Direct
Certificação DIGI
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