Número do Produto do Fabricante:
IPB029N06N3GE8187ATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB029N06N3GE8187ATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 120A (Tc) 188W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
12803226
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IPB029N06N3GE8187ATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
120A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
3.2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 118µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
13000 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
188W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB029
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB029N06N3 G E8187-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1DKR
SP000939334
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR-DG
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
IPB029N06N3 G E8187
IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
2156-IPB029N06N3GE8187ATMA1TR
448-IPB029N06N3GE8187ATMA1CT
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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