Número do Produto do Fabricante:
IPB026N10NF2SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB026N10NF2SATMA1-DG
Descrição:
TRENCH >=100V
Descrição Detalhada:
N-Channel 100 V 162A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventário:
44 Pcs Novo Original Em Estoque
12976346
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ENVIAR
IPB026N10NF2SATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
StrongIRFET™ 2
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
100 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
162A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2.65mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.8V @ 169µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
154 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
7300 pF @ 50 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-3
Pacote / Estojo
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Número do produto base
IPB026N
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
448-IPB026N10NF2SATMA1DKR
448-IPB026N10NF2SATMA1TR
SP005571706
448-IPB026N10NF2SATMA1CT
Pacote padrão
800
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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