Número do Produto do Fabricante:
IPB020N04NGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB020N04NGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 40V 140A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 40 V 140A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventário:
3448 Pcs Novo Original Em Estoque
12799769
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ENVIAR
IPB020N04NGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
40 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
140A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 95µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
120 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9700 pF @ 20 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
167W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-3
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB020
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB020N04NGATMA1TR
2156-IPB020N04NGATMA1
IPB020N04N GDKR-DG
IFEINFIPB020N04NGATMA1
IPB020N04NGATMA1DKR
IPB020N04N GCT
IPB020N04N GDKR
IPB020N04N GTR-DG
IPB020N04NG
SP000359157
IPB020N04NGATMA1CT
IPB020N04N GCT-DG
IPB020N04N G-DG
IPB020N04N G
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
FDB024N04AL7
FABRICANTE
Fairchild Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
29849
NÚMERO DA PEÇA
FDB024N04AL7-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.73
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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