Número do Produto do Fabricante:
IPB009N03LGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPB009N03LGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 180A TO263-7
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 180A (Tc) 250W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-3
Inventário:
12800557
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IPB009N03LGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
OptiMOS™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
180A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
0.95mOhm @ 100A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2.2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
227 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
25000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
250W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-3
Pacote / Estojo
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Número do produto base
IPB009
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IPB009N03LGATMA1TR
SP000394657
IPB009N03L GDKR-DG
IPB009N03LGATMA1CT
IPB009N03L GTR
IPB009N03L GCT-DG
IPB009N03L G-DG
IPB009N03L GTR-DG
IPB009N03L G
IPB009N03LG
2156-IPB009N03LGATMA1
IPB009N03L GCT
IPB009N03L GDKR
IPB009N03LGATMA1DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
SQM200N04-1M7L_GE3
FABRICANTE
Vishay Siliconix
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
SQM200N04-1M7L_GE3-DG
PREÇO UNITÁRIO
1.41
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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