Número do Produto do Fabricante:
IPAN60R650CEXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPAN60R650CEXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 600V 9.9A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 9.9A (Tc) 28W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventário:
12848044
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IPAN60R650CEXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9.9A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
650mOhm @ 2.4A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 200µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20.5 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
440 pF @ 100 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
28W (Tc)
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPAN60
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001508816
IFEINFIPAN60R650CEXKSA1
2156-IPAN60R650CEXKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
Not Applicable
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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