IPA95R450PFD7XKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPA95R450PFD7XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPA95R450PFD7XKSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 950V 7.2A TO220-3
Descrição Detalhada:
N-Channel 950 V 7.2A (Tc) 30W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-313

Inventário:

487 Pcs Novo Original Em Estoque
13001747
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
num_del num_add
*
*
*
*
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR

IPA95R450PFD7XKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
950 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7.2A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
450mOhm @ 7.2A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
3.5V @ 360µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
43 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1230 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
30W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-313
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
448-IPA95R450PFD7XKSA1
SP005547011
Pacote padrão
50

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
rohm-semi

R6055VNXC7G

600V 23A TO-220FM, PRESTOMOS WIT

goford-semiconductor

G2002A

N200V, 2A,RD<540M@10V,VTH1.0V~3.

wolfspeed

C3M0160120J-TR

SIC, MOSFET, 160M, 1200V, TO-263

wolfspeed

C6D50065D1

SIC, SCHOTTKY DIODE, 50A, 650V,