IPA65R225C7
Número do Produto do Fabricante:

IPA65R225C7

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPA65R225C7-DG

Descrição:

IPA65R225 - 650V AND 700V COOLMO
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 7A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-111

Inventário:

12946741
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IPA65R225C7 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
7A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
225mOhm @ 4.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 240µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
20 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
996 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
29W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-111
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados

Informação Adicional

Outros nomes
INFINFIPA65R225C7
2156-IPA65R225C7
Pacote padrão
213

Classificação Ambiental e de Exportação

ECCN
EAR99
HTSUS
8542.39.0001
Certificação DIGI
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