Número do Produto do Fabricante:
IPA65R095C7XKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPA65R095C7XKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 650V 12A TO220-FP
Descrição Detalhada:
N-Channel 650 V 12A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventário:
384 Pcs Novo Original Em Estoque
12803029
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IPA65R095C7XKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
650 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
95mOhm @ 11.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 590µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
45 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2140 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
34W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA65R095
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPA65R095C7XKSA1
SP001080126
INFINFIPA65R095C7XKSA1
Pacote padrão
500
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK35A65W,S5X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
13
NÚMERO DA PEÇA
TK35A65W,S5X-DG
PREÇO UNITÁRIO
3.02
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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