IPA60R120C7XKSA1
Número do Produto do Fabricante:

IPA60R120C7XKSA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

IPA60R120C7XKSA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 600V 11A TO220
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 11A (Tc) 32W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP

Inventário:

385 Pcs Novo Original Em Estoque
12805402
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IPA60R120C7XKSA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolMOS™ C7
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
11A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
120mOhm @ 7.8A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 390µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
34 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1500 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
32W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-FP
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA60R

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
SP001385040
Pacote padrão
500

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modelos Alternativos

NÚMERO DA PEÇA
FCPF125N65S3
FABRICANTE
onsemi
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
FCPF125N65S3-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.13
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
R6027YNXC7G
FABRICANTE
Rohm Semiconductor
QUANTIDADE DISPONÍVEL
1000
NÚMERO DA PEÇA
R6027YNXC7G-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.52
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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