Número do Produto do Fabricante:
IPA093N06N3GXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IPA093N06N3GXKSA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 60V 43A TO220-3-31
Descrição Detalhada:
N-Channel 60 V 43A (Tc) 33W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-31
Inventário:
12799559
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IPA093N06N3GXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
OptiMOS™
Status do produto
Not For New Designs
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
60 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
43A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.3mOhm @ 40A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
4V @ 34µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
48 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3900 pF @ 30 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
33W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO220-3-31
Pacote / Estojo
TO-220-3 Full Pack
Número do produto base
IPA093
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-IPA093N06N3GXKSA1-448
IPA093N06N3 G
SP000451088
IPA093N06N3 G-DG
IPA093N06N3G
Pacote padrão
50
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
TK40A06N1,S4X
FABRICANTE
Toshiba Semiconductor and Storage
QUANTIDADE DISPONÍVEL
480
NÚMERO DA PEÇA
TK40A06N1,S4X-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
NÚMERO DA PEÇA
AOTF2610L
FABRICANTE
Alpha & Omega Semiconductor Inc.
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
AOTF2610L-DG
PREÇO UNITÁRIO
0.57
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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