Número do Produto do Fabricante:
IMZA120R007M1HXKSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IMZA120R007M1HXKSA1-DG
Descrição:
SIC DISCRETE
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 225A (Tc) 750W (Tc) Through Hole PG-TO247-4-8
Inventário:
197 Pcs Novo Original Em Estoque
12999225
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IMZA120R007M1HXKSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tube
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
225A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
15V, 18V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
9.9mOhm @ 108A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.2V @ 47mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
220 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+20V, -5V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
9170 nF @ 25 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
750W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Through Hole
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO247-4-8
Pacote / Estojo
TO-247-4
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP005425973
448-IMZA120R007M1HXKSA1
Pacote padrão
30
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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