Número do Produto do Fabricante:
IMBG120R140M1HXTMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IMBG120R140M1HXTMA1-DG
Descrição:
SICFET N-CH 1.2KV 18A TO263
Descrição Detalhada:
N-Channel 1200 V 18A (Tc) 107W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7-12
Inventário:
1556 Pcs Novo Original Em Estoque
12945947
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IMBG120R140M1HXTMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolSiC™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
SiCFET (Silicon Carbide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
18A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
189mOhm @ 6A, 18V
vgs(th) (máx) @ id
5.7V @ 2.5mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
13.4 nC @ 18 V
Vgs (máx.)
+18V, -15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
491 pF @ 800 V
Recurso FET
Standard
Dissipação de energia (máx.)
107W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TO263-7-12
Pacote / Estojo
TO-263-8, D2PAK (7 Leads + Tab), TO-263CA
Número do produto base
IMBG120
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP004463792
448-IMBG120R140M1HXTMA1TR
448-IMBG120R140M1HXTMA1CT
448-IMBG120R140M1HXTMA1DKR
Pacote padrão
1,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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