Número do Produto do Fabricante:
IGT60R190D1SATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IGT60R190D1SATMA1-DG
Descrição:
GANFET N-CH 600V 12.5A 8HSOF
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 12.5A (Tc) 55.5W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventário:
12800211
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IGT60R190D1SATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolGaN™
Status do produto
Obsolete
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12.5A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
55.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-HSOF-8-3
Pacote / Estojo
8-PowerSFN
Número do produto base
IGT60R190
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Documentos de confiabilidade
Resumo do produto
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
IGT60R190D1SATMA1DKR
2156-IGT60R190D1SATMA1-448
SP001701702
IGT60R190D1SATMA1CT
IGT60R190D1SATMA1TR
Pacote padrão
2,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modelos Alternativos
NÚMERO DA PEÇA
IGT60R190D1ATMA1
FABRICANTE
Infineon Technologies
QUANTIDADE DISPONÍVEL
0
NÚMERO DA PEÇA
IGT60R190D1ATMA1-DG
PREÇO UNITÁRIO
2.42
TIPO DE SUBSTITUIÇÃO
MFR Recommended
Certificação DIGI
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