Número do Produto do Fabricante:
IGLD60R190D1SAUMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
IGLD60R190D1SAUMA1-DG
Descrição:
GAN HV PG-LSON-8
Descrição Detalhada:
N-Channel 600 V 10A (Tc) 62.5W (Tc) Surface Mount PG-LSON-8-1
Inventário:
12997237
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
IGLD60R190D1SAUMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
CoolGaN™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
GaNFET (Gallium Nitride)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
600 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
10A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
-
vgs(th) (máx) @ id
1.6V @ 960µA
Vgs (máx.)
-10V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
157 pF @ 400 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
62.5W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-LSON-8-1
Pacote / Estojo
8-LDFN Exposed Pad
Informação Adicional
Outros nomes
448-IGLD60R190D1SAUMA1TR
SP005562629
Pacote padrão
3,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
IAUA250N04S6N007AUMA1
MOSFET_(20V 40V) PG-HSOF-5
IXFH90N65X3
MOSFET 90A 650V X3 TO247
BSS138-F169
MOSFET N-CH SOT23
