Número do Produto do Fabricante:
FS45MR12W1M1B11BOMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
FS45MR12W1M1B11BOMA1-DG
Descrição:
SIC 6N-CH 1200V AG-EASY1BM-2
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 25A (Tj) Chassis Mount AG-EASY1BM-2
Inventário:
106 Pcs Novo Original Em Estoque
12800384
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FS45MR12W1M1B11BOMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tray
Série
CoolSiC™+
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
6 N-Channel (3-Phase Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Tj)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
45mOhm @ 25A, 15V (Typ)
vgs(th) (máx) @ id
5.55V @ 10mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
62nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1840pF @ 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
AG-EASY1BM-2
Número do produto base
FS45MR12
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
SP001686600
Pacote padrão
24
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certificação DIGI
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