Número do Produto do Fabricante:
FF6MR12KM1BOSA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
FF6MR12KM1BOSA1-DG
Descrição:
SIC 2N-CH 1200V 250A AG-62MM
Descrição Detalhada:
Mosfet Array 1200V (1.2kV) 250A (Tc) Chassis Mount AG-62MM
Inventário:
12954356
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FF6MR12KM1BOSA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FET, Arrays de MOSFET
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
-
Série
CoolSiC™
Status do produto
Obsolete
Tecnologia
Silicon Carbide (SiC)
Configuração
2 N-Channel (Half Bridge)
Recurso FET
-
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
1200V (1.2kV)
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
250A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs
5.81mOhm @ 250A, 15V
vgs(th) (máx) @ id
5.15V @ 80mA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
496nC @ 15V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
14700pF @ 800V
Potência - Máx.
-
Temperatura de operação
-40°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Chassis Mount
Pacote / Estojo
Module
Pacote de dispositivos do fornecedor
AG-62MM
Número do produto base
FF6MR12
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
SP001686408
2156-FF6MR12KM1BOSA1
448-FF6MR12KM1BOSA1
Pacote padrão
10
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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