Número do Produto do Fabricante:
BSZ130N03MSGATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSZ130N03MSGATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 9A/35A 8TSDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 9A (Ta), 35A (Tc) 2.1W (Ta), 25W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8
Inventário:
16290 Pcs Novo Original Em Estoque
12800985
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BSZ130N03MSGATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
9A (Ta), 35A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
11.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
1300 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 25W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSZ130
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
2156-BSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSGINCT
BSZ130N03MSGATMA1TR
BSZ130N03MS G
BSZ130N03MSGATMA1DKR
SP000313122
BSZ130N03MSGINDKR
INFINFBSZ130N03MSGATMA1
BSZ130N03MSG
BSZ130N03MSGINDKR-DG
BSZ130N03MSGATMA1CT
BSZ130N03MSGATMA1-DG
BSZ130N03MSGINTR
BSZ130N03MSGXT
BSZ130N03MSGINCT-DG
BSZ130N03MSGINTR-DG
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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