Número do Produto do Fabricante:
BSZ060NE2LSATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSZ060NE2LSATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 25V 12A/40A TSDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 25 V 12A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 26W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventário:
58175 Pcs Novo Original Em Estoque
12852804
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSZ060NE2LSATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
25 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
6mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
9.1 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
670 pF @ 12 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 26W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSZ060
Folha de Dados & Documentos
Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML
Informação Adicional
Outros nomes
BSZ060NE2LS
BSZ060NE2LS-DG
BSZ060NE2LSATMA1CT
BSZ060NE2LSDKR-DG
BSZ060NE2LSCT-DG
SP000776122
BSZ060NE2LSTR-DG
BSZ060NE2LSATMA1DKR
BSZ060NE2LSDKR
BSZ060NE2LSATMA1TR
BSZ060NE2LSCT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
MCH3374-TL-W
MOSFET P-CH 12V 3A SC70FL/MCPH3
2SK3482-AZ
MOSFET N-CH 100V 36A TO251
MCH3375-TL-H
MOSFET P-CH 30V 1.6A SC70
