Número do Produto do Fabricante:
BSZ0501NSIATMA1
Product Overview
Fabricante:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Número da Peça:
BSZ0501NSIATMA1-DG
Descrição:
MOSFET N-CH 30V 25A/40A TSDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 50W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL
Inventário:
10000 Pcs Novo Original Em Estoque
12799906
Solicitar Orçamento
Quantidade
Mínimo 1
Mínimo 1
(*) é obrigatório
Entraremos em contato dentro de 24 horas
Entraremos em contato dentro de 24 horas
ENVIAR
BSZ0501NSIATMA1 Especificações Técnicas
Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
25A (Ta), 40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
2mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
33 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
2000 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 50W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSZ0501
Folha de Dados & Documentos
Informação Adicional
Outros nomes
448-BSZ0501NSIATMA1TR
SP001281638
448-BSZ0501NSIATMA1DKR
BSZ0501NSIATMA1-DG
448-BSZ0501NSIATMA1CT
Pacote padrão
5,000
Classificação Ambiental e de Exportação
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
Produtos Relacionados
BSC0902NSIATMA1
MOSFET N-CH 30V 23A/100A TDSON
BTS110NKSA1
MOSFET N-CH 100V 10A TO220AB
IPA60R600P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 4.9A TO220-FP
