BSZ0500NSIATMA1
Número do Produto do Fabricante:

BSZ0500NSIATMA1

Product Overview

Fabricante:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Número da Peça:

BSZ0500NSIATMA1-DG

Descrição:

MOSFET N-CH 30V 30A/40A TSDSON
Descrição Detalhada:
N-Channel 30 V 30A (Ta), 40A (Tc) 2.1W (Ta), 69W (Tc) Surface Mount PG-TSDSON-8-FL

Inventário:

9965 Pcs Novo Original Em Estoque
12799246
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BSZ0500NSIATMA1 Especificações Técnicas

Categoria
FETs, MOSFETs, FETs únicos, MOSFETs
Fabricante
Infineon Technologies
Embalagem
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Status do produto
Active
Tipo FET
N-Channel
Tecnologia
MOSFET (Metal Oxide)
Tensão de drenagem para fonte (Vdss)
30 V
Corrente - Dreno Contínuo (Id) @ 25°C
30A (Ta), 40A (Tc)
Tensão de acionamento (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs
1.5mOhm @ 20A, 10V
vgs(th) (máx) @ id
2V @ 250µA
Carga do portão (Qg) (Max) @ Vgs
52 nC @ 10 V
Vgs (máx.)
±20V
Capacitância de entrada (Ciss) (máx.) @ Vds
3400 pF @ 15 V
Recurso FET
-
Dissipação de energia (máx.)
2.1W (Ta), 69W (Tc)
Temperatura de operação
-55°C ~ 150°C (TJ)
Tipo de montagem
Surface Mount
Pacote de dispositivos do fornecedor
PG-TSDSON-8-FL
Pacote / Estojo
8-PowerTDFN
Número do produto base
BSZ0500

Folha de Dados & Documentos

Folhas de dados
Fichas Técnicas
Folha de Dados HTML

Informação Adicional

Outros nomes
BSZ0500NSIATMA1-DG
448-BSZ0500NSIATMA1TR
SP001288150
2156-BSZ0500NSIATMA1
448-BSZ0500NSIATMA1CT
IFEINFBSZ0500NSIATMA1
448-BSZ0500NSIATMA1DKR
Pacote padrão
5,000

Classificação Ambiental e de Exportação

RoHS Status
ROHS3 Compliant
Nível de sensibilidade à umidade (MSL)
1 (Unlimited)
REACH Status
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certificação DIGI
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